型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: N沟道 200V 96A48535+￥12.811550+￥12.2640200+￥11.9574500+￥11.88081000+￥11.80412500+￥11.71655000+￥11.66187500+￥11.6070 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。943310+￥8.7480100+￥8.3106500+￥8.01901000+￥8.00442000+￥7.94615000+￥7.87327500+￥7.814910000+￥7.7857 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STFW3N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 6 ohm, 10 V, 4 V485710+￥8.1120100+￥7.7064500+￥7.43601000+￥7.42252000+￥7.36845000+￥7.30087500+￥7.246710000+￥7.2197 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STFW4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 10 V, 4 V37381+￥46.433210+￥43.7690100+￥41.7899250+￥41.4854500+￥41.18091000+￥40.83842500+￥40.53395000+￥40.3436 -
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品类: MOS管描述: N沟道 100V 130A251510+￥9.9720100+￥9.4734500+￥9.14101000+￥9.12442000+￥9.05795000+￥8.97487500+￥8.908310000+￥8.8751 -
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品类: MOS管描述: 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET11191+￥47.238410+￥44.5280100+￥42.5146250+￥42.2048500+￥41.89501000+￥41.54662500+￥41.23685000+￥41.0432 -
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品类: MOS管描述: 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET147710+￥10.7160100+￥10.1802500+￥9.82301000+￥9.80512000+￥9.73375000+￥9.64447500+￥9.573010000+￥9.5372 -
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品类: MOS管描述: 4A,1500V,N沟道MOSFET49231+￥77.544510+￥74.1730100+￥73.5661250+￥73.0941500+￥72.35241000+￥72.01522500+￥71.54325000+￥71.1387 -
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品类: 双极性晶体管描述: TO-3pF PNP 50V 12A434820+￥0.121550+￥0.1125100+￥0.1080300+￥0.1044500+￥0.10171000+￥0.09995000+￥0.098110000+￥0.0963 -
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品类: 双极性晶体管描述: 2SA1962 系列 250 V CE 击穿 17 A PNP 外延硅 晶体管 TO-3P47595+￥12.753050+￥12.2080200+￥11.9028500+￥11.82651000+￥11.75022500+￥11.66305000+￥11.60857500+￥11.5540 -
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品类: MOS管描述: SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。52925+￥22.698050+￥21.7280200+￥21.1848500+￥21.04901000+￥20.91322500+￥20.75805000+￥20.66107500+￥20.5640 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCA47N60, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装77851+￥63.560510+￥60.7970100+￥60.2996250+￥59.9127500+￥59.30471000+￥59.02842500+￥58.64155000+￥58.3099 -
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品类: MOS管描述: TO-3P N-CH 150V 102A67385+￥21.106850+￥20.2048200+￥19.6997500+￥19.57341000+￥19.44712500+￥19.30285000+￥19.21267500+￥19.1224 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3Pin(3+Tab) TO-3P48975+￥22.768250+￥21.7952200+￥21.2503500+￥21.11411000+￥20.97792500+￥20.82225000+￥20.72497500+￥20.6276 -
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品类: MOS管描述: P沟道 200V 26A76595+￥12.320150+￥11.7936200+￥11.4988500+￥11.42511000+￥11.35132500+￥11.26715000+￥11.21457500+￥11.1618 -
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品类: MOS管描述: TO-3P N-CH 250V 64A81881+￥56.229810+￥53.0035100+￥50.6068250+￥50.2381500+￥49.86941000+￥49.45462500+￥49.08595000+￥48.8554 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch 500V 23A To3pn435410+￥10.8120100+￥10.2714500+￥9.91101000+￥9.89302000+￥9.82095000+￥9.73087500+￥9.658710000+￥9.6227 -
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品类: MOS管描述: 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET102610+￥6.0360100+￥5.7342500+￥5.53301000+￥5.52292000+￥5.48275000+￥5.43247500+￥5.392210000+￥5.3720 -
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品类: MOS管描述: 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET16775+￥12.647750+￥12.1072200+￥11.8045500+￥11.72891000+￥11.65322500+￥11.56675000+￥11.51277500+￥11.4586 -
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品类: MOS管描述: FQA30N40 系列 400 V 140 mOhm 120 nC 通孔 N 沟道 Mosfet - TO-3PN64495+￥28.021550+￥26.8240200+￥26.1534500+￥25.98581000+￥25.81812500+￥25.62655000+￥25.50687500+￥25.3870 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA46N15 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V27065+￥15.081350+￥14.4368200+￥14.0759500+￥13.98571000+￥13.89542500+￥13.79235000+￥13.72797500+￥13.6634
